澜起科技：DDR5下流浸透率提高子代迭代继续推动估计第三季度出货量将超越DDR4
发表时间： 2025-01-04 作者: 样品展示
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金融界10月16日音讯，澜起科技发表投资者联系活动记载表显现，公司DDR5下流浸透率提高，DDR5子代迭代继续推动。估计DDR5内存接口芯片出货量将在本年第三季度超越DDR4内存接口芯片。一起公司说到，本年为职业规划试用成年的公司CKD芯片和MRCD/MDB芯片没有开端在下流规划使用，估计从下一年开端在下流规划使用。而在时钟芯片方面，公司已推出第一批可编程时钟发生器芯片系列新产品，主要是针对存储、算力芯片、交换机等使用场景对高性能时钟的需求。公司正在预备时钟芯片的量产，一起现已发动时钟缓冲芯片的研制，以加强完善时钟芯片的产品布局。
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